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三星宣布5/4/3nm芯片制造工艺

2018-05-24 15:18 来源: 站长资源平台 编辑: 等等 浏览(908)人   

  三星宣布5/4/3nm芯片制造工艺。Samsung Foundry Forum论坛上,三星直接宣布了5/4/3nm工艺技术。


三星宣布5/4/3nm芯片制造工艺


  其中,5nm LPE工艺相较于7nm LPP,会进一步缩小芯片核心面积,带来更低的功耗。

  4nm LPE/LPP将会成为三星最后一次在芯片上使用FinFET技术,进步压缩芯片面积。

  3nm GAAE/GAAP则采用了全新的GAA(Gate-All-Around,环绕栅极)纳米技术,需要重新设计晶体管底层结构,克服当前技术的物理、性能极限,增强栅极控制,性能大大提升。


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